電子装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361143
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183059
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 Cu等、易酸化性の金属配線上に窒化シリコン系絶縁膜を形成するにあたり、金属配線の酸化、および密着性の低下を防止する。【解決手段】金属配線4上に、Si3 N4 の化学量論組成よりSiリッチな下層窒化シリコン系絶縁膜5aと、この下層窒化シリコン系絶縁膜5aよりもNリッチな上層窒化シリコン系絶縁膜5bとを形成し、併せて窒化シリコン系絶縁膜5とする。窒化シリコン系絶縁膜5を形成する際の成膜チャンバ内の残留酸素濃度を、100ppb以下に制御することが望ましい。

請求項（抜粋）：

金属配線上に窒化シリコン系絶縁膜を気相成長法により形成する工程を有する電子装置の製造方法であって、前記金属配線上に接して、Si3 N4 の化学量論組成よりSiリッチな下層窒化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、前記下層窒化シリコン系絶縁膜に接して、該下層窒化シリコン系絶縁膜の組成よりNリッチな上層窒化シリコン系絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする電子装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/90 K

Fターム (67件)：

5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033LL06 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033QQ14 , 5F033QQ48 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR20 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS08 , 5F033SS09 , 5F033SS12 , 5F033SS15 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX12 , 5F033XX20 , 5F058BA10 , 5F058BD02 , 5F058BD10 , 5F058BE01 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF13 , 5F058BF15 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (6件)

多層配線構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-341259 出願人：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
特開昭57-035327
特開平1-124221

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