フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002077
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190205
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路の製造工程において無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト層またはアッシング後に残存するフォトレジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。【構成】アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜50重量%、グリコールモノアルキルエーテルを1〜30重量%、糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%を含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いる剥離方法。

請求項（抜粋）：

一般式 R1 R2 -NCm H2mOR3 (R1 およびR2 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはヒドロキシエチル基、R3 は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基またはエトキシエチル基、m は2〜4の整数)で表されるアルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類を5〜50重量%、一般式 R4 -(Cp H2pO)q -R4 (R4 は水素または炭素数1〜4のアルキル基、p は2〜3の整数、q は1〜3の整数)で表されるグリコールモノアルキルエーテルを1〜30重量%、糖類または糖アルコール類を0.5〜15重量%を含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A , H01L 21/30 572 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-088548
ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-105186 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
特開平4-124668

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