特許

J-GLOBAL ID：200903037557338310

プラズマエッチング方法

発明者： 斉藤 剛 ,  坂口 正道 ,  古林 均 ,  吉開 元彦 ,  谷 聡
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  日立笠戸エンジニアリング株式会社
代理人 (3件)： 武 顕次郎 ,  武 顕次郎 (外1名) ,  武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223075
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037100
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ加工におけるエッチングレートと歩留まりの向上が充分に得られるようにした半導体基板のプラズマエッチング方法を提供すること。【解決手段】 真空容器1内にある試料台6の温度を温度制御装置11により冷却し、シリコン基板からなる試料7の温度を0°C以下の低温にした上で、SF6 を主成分とし、これにO2 を添加したエッチングガスを用いて試料7をプラズマエッチングし、トレンチ加工するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン又は窒化シリコン或いはこれらの複合膜のマスクを用い、シリコン半導体基板にトレンチ加工をするプラズマエッチング方法において、シリコン半導体基板の温度を0°C以下に保持し、プラズマエッチングガスの主成分を6フッ化硫黄にしてトレンチ加工することを特徴とするプラズマエッチング方法。

Fターム (14件)：

5F004AA05 ,  5F004BA16 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB01 ,  5F004EA06 ,  5F004EB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-014548
  
• 半導体のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241682   出願人：株式会社デンソー
• エッチング加工構造及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-291011   出願人：松下電器産業株式会社