特許
J-GLOBAL ID:200903037561968523
ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザンまたはポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-268073
公開番号(公開出願番号):特開2008-088224
出願日: 2006年09月29日
公開日(公表日): 2008年04月17日
要約:
【課題】 良好な特性を有するシリカ系絶縁膜やLow-k膜などの形成に適するポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法を提供する。【解決手段】 ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法は、外気から遮蔽され、且つアミン、塩基性物質、揮発性有機化合物、酸性物質を除去された空気を主たる空気の供給源とする第1空間内で、少なくともポリシラザンの合成およびポリシラザン溶液の調合を含むポリシラザンまたはポリシラザン溶液を取り扱う工程を含む。【選択図】 図10
請求項(抜粋):
外気から遮蔽され、且つアミン、塩基性物質、揮発性有機化合物、酸性物質を除去された空気を主たる空気の供給源とする第1空間内で、少なくともポリシラザンの合成およびポリシラザン溶液の調合を含むポリシラザンまたはポリシラザン溶液を取り扱う工程を具備することを特徴とするポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法。
IPC (5件):
C08L 83/16
, H01L 21/768
, H01L 21/316
, C08K 5/17
, C08G 77/62
FI (5件):
C08L83/16
, H01L21/90 Q
, H01L21/316 B
, C08K5/17
, C08G77/62
Fターム (26件):
4J002CP211
, 4J002EH156
, 4J002EN006
, 4J002EN106
, 4J002FD206
, 4J002HA05
, 4J246AA10
, 4J246AB01
, 4J246BB08X
, 4J246BB080
, 4J246CA01X
, 4J246CA010
, 4J246FB213
, 4J246FB303
, 4J246FE36
, 4J246GA08
, 4J246GB04
, 4J246HA66
, 5F033RR09
, 5F033SS22
, 5F058BC05
, 5F058BD07
, 5F058BE10
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
引用特許:
出願人引用 (8件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-163857
出願人:株式会社東芝
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特公昭63-16325号公報
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特許3483500号明細書
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審査官引用 (7件)
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