特許
J-GLOBAL ID：200903037578414564
半導体ウェーハ及び該半導体ウェーハの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329764
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148358
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハにストリートの形状の拘束を受けない様々な形状や大きさのチップ領域を形成して半導体材料の有効活用を図ると共に、そのような半導体ウェーハを個々のチップに分割することを可能とする。【解決手段】 形状及び大きさが同一の矩形のチップ領域がストリートに仕切られて複数形成され、ストリートの一部または全部がチップ領域の配置に対応してジグザグに形成されている半導体ウェーハ、形状または大きさが不規則なチップ領域がストリートに仕切られて複数形成され、ストリートがチップ領域の形状、大きさ及び配置に対応して形成されている半導体ウェーハを提供し、更に、これらの半導体ウェーハを分割する方法として、半導体ウェーハの表面にホトレジスト膜を被覆する第一の工程と、ストリート上部のホトレジスト膜を露光により除去する第二の工程と、化学的エッチングによってストリートに溝を形成する第三の工程と、溝に沿ってチップに分割する第四の工程とから少なくとも構成される半導体ウェーハの分割方法を提供する。
請求項（抜粋）：
形状及び大きさが同一の矩形のチップ領域がストリートに仕切られて複数形成されており、該ストリートの一部または全部が該チップ領域の配置に対応してジグザグに形成されている半導体ウェーハ。
FI (2件)：
H01L 21/78 S
, H01L 21/78 L
