特許

J-GLOBAL ID：200903037620466243

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大内 暁 ,  瀧澤 俊幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-017841
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210472
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層を用いた半導体装置において、半導体装置の動作時に、歪による結晶欠陥によってリーク電流が発生することを防止する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層よりなるチャネル層12とゲート電極17との間にゲート絶縁膜13を備えた半導体装置であって、ゲート絶縁膜13は、砒素が添加された窒化ガリウムよりなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁領域を備えた半導体装置であって、 前記絶縁領域は、砒素が添加された窒化ガリウムよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

H01L29/78 617T ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 621

Fターム (53件)：

5F058BD12 ,  5F058BD13 ,  5F058BF20 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA07 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F173AA06 ,  5F173AA47 ,  5F173AF53 ,  5F173AF94 ,  5F173AH22 ,  5F173AP09 ,  5F173AR24 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057069   出願人：古河電気工業株式会社
• GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327632   出願人：古河電気工業株式会社