特許

J-GLOBAL ID：200903037658345326

パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者： 岸村 眞冶 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝 ,  白井 正充 ,  角岡 正弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112175
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311589
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：

【要約】【課題】 1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 [化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)次に、レジスト膜に対して、1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

[化1]で表わされる第1のユニット及び[化2]で表わされる第2のユニットを含む重合体と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R1 及びR3 は、同種又は異種であって、アルキル基、塩素原子又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R2 は、酸により脱離する保護基であり、mは0〜5の整数である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08F220/42 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (25件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AB03P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AB10P ,  4J100AM02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA40Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-202298   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-074337   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-100629   出願人：住友化学工業株式会社