特許

J-GLOBAL ID：200903037694407850

固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法

発明者： 石田 耕一 ,  高田 謙二 ,  野村 慶一 ,  濱川 圭弘 ,  岡本 博明
出願人/特許権者： ミノルタ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105891
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027610
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 簡単な工程で製造可能であり、構造が簡単で高い受光感度をもつ積層型固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板(1)と、前記半導体基板(1)上に設けられた正または負の導電型の第1の拡散領域(2)と、前記第1の拡散領域(2)の中に設けられ、第1の拡散領域(2)と逆の導電型の複数の第2拡散領域(3)と、少なくとも前記第2の拡散領域に接触するように形成された半導体薄膜(4)と、を有する固体撮像装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた正または負の導電型の第1の拡散領域と、前記第1の拡散領域の中に設けられ、第1の拡散領域と逆の導電型の複数の第2拡散領域と、少なくとも第2の拡散領域に接触するように形成された半導体薄膜と、を有する固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-055859
  
• 分子線エピタキシャル成長法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-043206   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体結晶薄膜の成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-256009   出願人：日本電信電話株式会社