特許

J-GLOBAL ID：200903037694897408

キャパシタ製造方法

発明者： パク ダイ ギュ ,  リー サン ヒョウ
出願人/特許権者： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216352
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタの上部電極上に、優れた高温耐酸化特性を有しかつTi拡散を効果的に抑制できるTiAlN膜を、上部電極の拡散防止膜として用いるキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、上部電極を構成するための第2のPt膜6を有するキャパシタにおいて、第2のPt膜6上にTiAlN膜7(Ti<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>N、x<1)を形成する段階を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

上部電極を構成するための上部Pt膜を有するキャパシタにおいて、前記上部Pt膜上にTiAlN膜(Ti<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>N、x<1)を形成する段階を含むことを特徴とするキャパシタ製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体キャパシターを具備する半導体メモリ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-155598   出願人：三星電子株式会社
• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196766   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-327818   出願人：松下電子工業株式会社