炭素添加化合物半導体の結晶成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326042
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 600°Cの以上の高温成長において、1x1019原子/cm3 以上の高炭素濃度化合物半導体結晶を得る。【構成】原料ボンベ8のバルブ8aを開け、水素ガスをトリメチルひ素原料中にバブリングさせてトリメチルひ素の原料ガスを反応管1内に送る。次に、同時に原料ボンベ9からトリメチルアンチモンの原料ガスを、また、原料ボンベ7からトリメチルガリウムの原料ガスを反応管1内に送り、炭素添加ガリウムひ素薄膜を形成する。そして、トリメチルアンチモンの原料ガスの流量を制御することによって添加する炭素濃度を制御することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

複数の構成原料を用いた気相成長方法による二元または三元結晶の炭素添加III ・V族化合物半導体結晶の成長方法において、前記複数の構成原料の一つで主炭素源である構成原料の分子の炭素結合分解反応を抑制するメチル基ガスを供給し、このメチル基ガスの供給量により炭素添加量を制御することを特徴とする炭素添加化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-158723
特開平2-203520
特開平2-272722

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