特許

J-GLOBAL ID：200903037715838296

シリコンナノワイヤーの製造方法

発明者： 野田 哲二 ,  鈴木 裕 ,  荒木 弘 ,  楊 文 ,  石川 信博
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-352799
公開番号（公開出願番号）：特開2005-112701
出願日： 2003年10月10日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【目的】 長さ数cm以上のシリコンナノワイヤーを作製する。【構成】 シリコン粉末の焼結体を不活性ガス気流中で蒸発させ、不活性ガス気流の下流側において、1200°C〜900°Cの間で10°C/cm以上の温度勾配が形成された位置に配置された基板上にシリコンナノワイヤーを成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン粉末の焼結体を不活性ガス気流中で蒸発させ、不活性ガス気流の下流側において、1200°C〜900°Cの間で10°C/cm以上の温度勾配が形成された位置に配置された基板上にシリコンナノワイヤーを成長させることを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。

IPC (1件)：

C01B33/02

FI (1件)：

C01B33/02 Z

Fターム (9件)：

4G072AA01 ,  4G072BB11 ,  4G072BB20 ,  4G072HH01 ,  4G072LL03 ,  4G072NN09 ,  4G072RR21 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化ケイ素ナノワイヤーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-085571   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構