特許
J-GLOBAL ID：200903037728893334

積層型共振器および積層型フィルタ

発明者：
内村 弘志

内村 弘志 について

, 
竹之下 健

竹之下 健 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108724
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303618
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】多層化された配線基板あるいは半導体パッケージに利用可能であり、従来の積層化技術を用いて容易に作製可能な共振器とそれを用いたフィルタを提供する。【解決手段】複数の誘電体層の積層体からなる誘電体基板1と、誘電体基板1の上下面の所定領域を含む表面に形成された一対の主導体層2、3と、主導体層2、3の所定領域を囲み、相互に共振周波数に対応する信号波長の1/2未満の間隔をもって主導体層2、3間を電気的に接続するように形成された複数の側壁用バイアホール導体4群とを具備し、主導体層2、3と側壁用バイアホール導体4群によって取り囲まれた領域によって共振領域を形成し、また、主導体層2、3間に、側壁用バイアホール導体4群と電気的に接続され、共振領域の周囲に側壁用導体層5を形成し、さらに、共振領域の中央部に位置する誘電体層を両側の誘電体層よりも高誘電率化してQ値を高める。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層の積層体からなる誘電体基板と、該誘電体基板の上下面の少なくとも所定領域を含む表面に形成された一対の主導体層と、前記主導体層の前記所定領域を囲み、相互に共振周波数に対応する信号波長の1/2未満の間隔をもって前記主導体層間を電気的に接続するように形成された複数の側壁用バイアホール導体群とを具備し、前記主導体層と前記側壁用バイアホール導体群によって取り囲まれた領域によって共振領域を形成したことを特徴とする積層型共振器。
IPC (4件)：
H01P 7/06 ,  H01P 1/208 ,  H01P 5/107 ,  H01P 7/04
FI (4件)：
H01P 7/06 ,  H01P 1/208 Z ,  H01P 5/107 B ,  H01P 7/04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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