特許
J-GLOBAL ID:200903037771879787

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-311261
公開番号(公開出願番号):特開平9-153294
出願日: 1995年11月29日
公開日(公表日): 1997年06月10日
要約:
【要約】【課題】データ読出し時における誤動作を防止することのできる不揮発性の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明は、ディジット線31〜34およびワード線35〜38に対応して、Yセレクタとして機能するNMOSトランジスタ1〜4と、メモリセルアレイを2分割して形成されるメモリセル群25およびメモリセル群26と、書込み回路21と、センスアンプ22と、Yデコーダ23と、Xデコーダ24と、メモリセル群25およびメモリセル群26に対応する選択回路を形成するPMOSトランジスタ27およびNMOSトランジスタ28〜30とを備えて構成される。なお、メモリセル群25は、アドレス最上位ビットの信号101が“0”レベルにて入力される時に選択され、メモリセル群26は、信号101が“1”レベルにて入力される時に選択される。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、不揮発性メモリとして形成される半導体記憶装置において、複数のメモリセル群に分割されて形成されるメモリセル・アレイと、データ書込み時に、所定の選択制御信号により制御されて、前記メモリセル・アレイ内のデータ書込み対象のメモリセルを含むメモリセル群を選択し、当該メモリセル群のソースを接地するように作用するとともに、データ書込み対象外のメモリセルを含むメモリセル群のソースをオープン状態に設定するように作用するメモルセル群選択手段と、を少なくとも備えて構成されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件):
G11C 16/06 ,  H01L 27/115
FI (2件):
G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-042599   出願人:富士通株式会社
  • 不揮発性半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-292723   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 特開平3-250495

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