膨らみパターンの形成方法および当該パターンを有する基体

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：辰巳砂昌弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-129474
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】エッチング工程や型によるエンボス工程を必要としない全く新しい凹凸パターンの形成方法を提供。【解決手段】撥水性部分と親水性部分からなるパターンの水に対する接触角差を80度以上にして親水性物質の堆積部分の選択性を向上させる。また、撥水性部分に微細凹凸組織を有する下地層と撥水性を有する最上層を設けて接触角の親水部分との差を80度以上にする。撥水/親水パターンの解像度を向上させるため、光分解活性を有する中間層を下地層と最上層の間に設け、フォトマスクを介した光照射による撥水性を有する表面層の選択的分解、親水化を可能とする。親水性流体としてコロイダルシリカと水を含む液体を用いて堆積の選択性を向上させ、大きな膨らみ形状の形成を可能にする。特に熱可塑性微粒子が分散した液体を用いて、さらに大きな膨らみパターンの形成を可能にする。

請求項（抜粋）：

基体上に撥水性部分と親水性部分からなるパターンを形成した後、親水的流体を該撥水/親水パターン付き基体に塗布して、固体の表面エネルギー差を利用して選択的に親水部分に凝集させ、次いでその流体を固化させることにより基体上に膨らみパターンを形成する方法。

IPC (3件)：

B05D 5/06 104 , G02B 3/00 , B05D 5/00

FI (3件)：

B05D 5/06 104 G , G02B 3/00 A , B05D 5/00 H

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