特許
J-GLOBAL ID：200903037795366306

半導体ウェハの薄化処理方法

発明者：
土師 宏

土師 宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002195
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208625
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 処理過程における半導体ウェハのダメージが発生しない半導体ウェハの薄化処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 回路形成後の半導体ウェハ10を薄化する半導体ウェハの薄化処理方法において、半導体ウェハ10の回路形成面の裏面を機械研磨によって除去した後、研磨によって生成したストレス層を除去し、ストレス層除去後の薄化された半導体ウェハ10をシートフレーム26に装着された粘着シート27に貼着する。そして半導体ウェハ10が貼着されたシートフレーム26は、フレームカセット29内に収納される。これにより、薄化され脆化した半導体ウェハ10の形状を保持するとともに半導体ウェハ10をハンドリング時の外力から保護して破損を防止することができる。
請求項（抜粋）：
回路形成後の半導体ウェハを薄化する半導体ウェハの薄化処理方法であって、前記半導体ウェハの回路形成面の裏面を機械研磨によって除去する研磨工程と、機械研磨によって半導体ウェハの前記裏面に生成したストレス層を除去するストレス層除去工程と、ストレス層除去後の薄化された半導体ウェハを粘着シートに貼着するシート貼着工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの薄化処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/304 622
FI (4件)：
H01L 21/68 N ,  H01L 21/68 B ,  B65G 49/07 G ,  H01L 21/304 622 P
Fターム (12件)：
5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031FA01 ,  5F031FA11 ,  5F031FA12 ,  5F031GA24 ,  5F031GA48 ,  5F031HA80 ,  5F031MA22 ,  5F031MA37 ,  5F031PA13 ,  5F031PA20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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