特許
J-GLOBAL ID：200903022683819980
半導体装置の製造方法及びダイシング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195829
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】薄いチップを安定かつ低コストで作成し、ハンドリングが容易な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】テープ107に貼り付けられたウエハ105を、ウエハ105の面内で高速で回転または横方向に往復運動させ、ウエハ105の表面に対してエッチ液高速に横方向に移動させ、ウエハ105を均一にエッチングして薄くし、この薄いウエハをダイシングして得られた薄いチップ105 ́を加熱ヘッド106によって加熱圧接して、基板102上に固着する。薄いチップを安定かつ低コストで形成し、チップの割れを生ずることなしに基板に固着できる。
請求項（抜粋）：
表面に複数の半導体素子が形成された半導体基板を準備する工程と、前記複数の半導体素子を覆うように前記半導体基板の表面に第1の膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面を除去して薄膜化する工程と、薄膜化された前記半導体基板の裏面に第2の膜を形成する工程と、前記第1の膜を剥離する工程と、前記複数の半導体素子を含む前記半導体基板を、前記半導体基板の表面側からダイシングにより完全に切断して複数のICチップに分離する工程と、配線が形成された配線基板に前記ICチップの表面を対向させ、固着する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 21/306
, H01L 21/52
H01L 21/78 Q
, H01L 21/52 A
, H01L 21/306 M
, H01L 21/78 M
, H01L 21/78 S
