半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯村雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215684
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】不揮発性記憶装置内部でメモリセルの状態を全てのデータ線毎に判定し、書込みの継続および停止などの制御を自動的に行なうようにする。【解決手段】第1のデータ線D1と、第1のデータ線に対向して平行に配置された第2のデータ線D2と、第1および第2のデータ線の双方に交差する複数のワード線W1,W2と、第1と第2のデータ線と複数のワード線との所望の交点に設けられた複数のメモリセルと、第1のデータ線と第2のデータ線とがその入力に接続された第1のセンスアンプSACおよび第2のセンスアンプSACと、第1のセンスアンプの出力に接続された第1のコモンデータ線CDと、第2のセンスアンプの出力に接続された第2のコモンデータ線CDとを具備し、複数のメモリセルは、第1のセンスアンプと第2のセンスアンプとの間に配置されるとともに第1のコモンデータ線と第2のコモンデータ線との間に配置される。

請求項（抜粋）：

第1のデータ線と、上記第1のデータ線に対向して平行に配置された第2のデータ線と、上記第1および第2のデータ線の双方に交差する複数のワード線と、上記第1と第2のデータ線と上記複数のワード線との所望の交点に設けられた複数のメモリセルと、上記第1のデータ線と上記第2のデータ線とがその入力に接続された第1のセンスアンプおよび第2のセンスアンプと、上記第1のセンスアンプの出力に接続された第1のコモンデータ線と、上記第2のセンスアンプの出力に接続された第2のコモンデータ線とを具備し、上記複数のメモリセルは、上記第1のセンスアンプと上記第2のセンスアンプとの間に配置されるとともに、上記第1のコモンデータ線と上記第2のコモンデータ線との間に配置されることを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-110400
特開昭63-048697
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-290076 出願人：株式会社東芝

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