特許

J-GLOBAL ID：200903037820197646

半導体装置のコンタクト又は配線の形成方法

発明者： 中邑 良一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003061
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260873
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 1回のフォトリソグラフィ工程だけで、コンタクトホール及び配線溝又は深いコンタクトホール及び浅いコンタクトホールを同時に形成することができる半導体装置のコンタクト又は配線の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の上に層間絶縁膜2を形成する工程と、前記層間絶縁膜2の上に第1絶縁膜3を形成する工程と、前記第1絶縁膜3の上にレジスト4を塗布し、配線溝形成予定領域5の幅よりコンタクト形成予定領域6の直径を大きく又は浅いコンタクトホール形成予定領域の直径より深いコンタクト形成予定領域の直径を大きくパターニングする工程と、を有する。これにより、1回のフォトリソグラフィ工程だけで、コンタクトホールと配線溝又は深いコンタクトホールと浅いコンタクトホールを形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜の上にレジストを塗布し、配線溝形成予定領域の幅よりコンタクトホール形成予定領域の直径が大きくなるように配線溝形成予定領域及びコンタクトホール形成予定領域に開口を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置のコンタクト又は配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 L

Fターム (51件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP18 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033TT02 ,  5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子の配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011146   出願人：エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド
• コンタクトホールの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-138534   出願人：シャープ株式会社