特許

J-GLOBAL ID：200903037828459356

多層構造形成方法、配線基板および電子機器の製造方法

発明者： 新舘 剛 ,  御子柴 俊明 ,  和田 健嗣 ,  桜田 和昭 ,  山田 純
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-182752
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121039
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 液滴吐出装置を用いて、構造的に安定な多層構造を形成すること。【解決手段】 多層構造形成方法は、第1絶縁材料層と、第2絶縁材料層と、液滴吐出装置によって形成された導電性材料層と、を一度に加熱して、第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に位置する導電層と、前記第1絶縁層と前記導電層とを覆う第2絶縁層と、を形成するステップを含んでいる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に第1光硬化性材料を含んだ第1絶縁材料層を形成するステップ(A)と、 前記第1絶縁材料層に第1波長の光を照射して、前記第1絶縁材料層を半硬化させるステップ(B)と、 前記半硬化した第1絶縁材料層へ液滴吐出装置のノズルから導電性材料の液滴を吐出して、前記半硬化した第1絶縁材料層上に導電性材料層を形成するステップ(C)と、 前記半硬化した第1絶縁材料層と前記導電材料層とを覆うように、第2光硬化性材料を含んだ第2絶縁材料層を形成するステップ(D)と、 前記第1絶縁材料層と、前記導電性材料層と、前記第2絶縁材料層とを一度に加熱して、第1絶縁層と、前記第1絶縁層上に位置する導電層と、前記第1絶縁層と前記導電層とを覆う第2絶縁層と、を形成するステップ(E)と、 を含んだ多層構造形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/10

FI (2件)：

H05K3/46 C ,  H05K3/10 D

Fターム (27件)：

5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA18 ,  5E343BB23 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343BB75 ,  5E343DD12 ,  5E343ER35 ,  5E343ER43 ,  5E343FF05 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346CC10 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD03 ,  5E346DD34 ,  5E346EE32 ,  5E346EE38 ,  5E346FF18 ,  5E346GG19 ,  5E346HH33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-238390   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (3件)

• 多層配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-046497   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-053297
  
• 多層プリント回路板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-327657   出願人：住友ベークライト株式会社