特許
J-GLOBAL ID：200903037837336810

多層回路基板の製造方法

発明者：
中野 和生

中野 和生 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-238649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068642
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 配線パターンと樹脂層との間の密着性の良好な多層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 下層の配線パターン22上に樹脂層24を形成する工程と、該樹脂層24に、下層の配線パターン22に通じる穴26を形成する穴形成工程と、樹脂層24および穴26内壁に無電解めっき、次いで電解めっきを施してめっき被膜30を形成するめっき工程と、該めっき被膜30をエッチングしてパターニングするエッチング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、前記穴26形成工程後、前記樹脂層24表面にカップリング剤を塗布して後、前記めっき工程を行うことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
配線パターン上に樹脂層を形成する工程と、該樹脂層に、前記配線パターンに通じる穴を形成する穴形成工程と、前記樹脂層および前記穴内壁に無電解めっき、次いで電解めっきを施してめっき被膜を形成するめっき工程と、該めっき被膜をエッチングしてパターニングするエッチング工程とを含む多層回路基板の製造方法において、前記穴形成工程後、前記樹脂層表面にカップリング剤を塗布して後、前記めっき工程を行うことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
Fターム (5件)：
5E346AA32 ,  5E346CC32 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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