特許
J-GLOBAL ID：200903037854310123
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086695
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 波長の制御が容易なGaInAsの歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低く、かつ素子特性の温度依存性を小さくすることのできる半導体レーザ装置を提供することにある。【構成】 GaInAsP障壁層13aとGaInAs井戸層13bを積層した歪み量子井戸構造からなる活性層13をn型InPクラッド層11及びp型InPクラッド層15で挟み、さらに活性層13と各クラッド層11,15との間にGaInAsP光ガイド層12,14を挿入した半導体レーザ装置において、活性層13は有機金属気相成長法で形成されており、かつ活性層13及び光ガイド層14に不純物としてSiを添加し、このSiの濃度を1×1016cm-3〜5×1017cm-3に設定したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
GaInAsの歪み量子井戸構造からなる活性層をp型及びn型のクラッド層で挟んだ半導体レーザ装置であって、前記活性層は気相成長法で形成されており、かつ前記活性層又は前記活性層とp型クラッド層の間に設けられた光ガイド層の少なくとも一部で、不純物としてのSiの濃度を1×1016cm-3〜5×1017cm-3に設定してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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