特許

J-GLOBAL ID：200903037945207538

半導体発光素子、半導体発光素子用電極、その製造方法、半導体発光素子を用いたLEDランプ、およびそのLEDランプを用いた光源

発明者： 竹内 良一 ,  鍋倉 亙 ,  三谷 和弘 ,  宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 福田 賢三 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243992
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189493
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子において、発光効率を大幅に改善できるようにする。【解決手段】 この発明の半導体発光素子10は、裏面に第1の電極4が形成された半導体基板1と、半導体基板1上に形成された、発光部2を含む半導体層3と、半導体層3の表面の一部に分配して形成され、その半導体層3とオーミック接触をなす分配電極7と、半導体層3の表面と分配電極7とを覆って形成され、その分配電極7と導通する透明導電膜4と、透明導電膜4の表面の一部に形成され、その透明導電膜4と導通する台座電極6と、を有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

裏面に第1の電極が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、発光部を含む半導体層と、前記半導体層の表面の一部に分配して形成され、その半導体層とオーミック接触をなす分配電極と、前記半導体層の表面と前記分配電極とを覆って形成され、その分配電極と導通する透明導電膜と、前記透明導電膜の表面の一部に形成され、その透明導電膜と導通する台座電極と、を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/46 H

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-111076
  
• 化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-328558   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057235   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (6件)

• 特開昭57-111076
  
• 化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-328558   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057235   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭57-111076
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128077   出願人：晶元光電股ふん有限公司
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社