半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266476
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103982
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】ターンオフ時の電圧・電流波形の振動と損失のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。【解決手段】厚さが200μm以下の薄膜のFS-IGBTにおいて、nバッファ層7の不純物プロフィルを、n- ドリフト層1に向かって凸状の曲線とすることで、空乏層の伸びがエミッタ・コレクタ電圧が高くなるに従い、抑制される割合が小さくなり、電圧の振動を抑制することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型のドリフト層と、該ドリフト層の表面に選択的に形成した第2導電型のベース層と、該ベース層の表面に選択的に形成した第1導電型のエミッタ層と、該エミッタ層と前記ドリフト層に挟まれた前記ベース層上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と、前記エミッタ層上と前記ベース層上に形成したエミッタ電極と、前記ドリフト層の裏面に形成し、該ドリフト層より不純物濃度が高い第1導電型のバッファ層と、該バッファ層上に形成し、該バッファ層の不純物濃度より高い第2導電型のコレクタ層と、該コレクタ層上に形成したコレクタ電極とを有する半導体装置において、前記各層を形成した半導体基板の厚さが、200μm以下に薄膜化された基板であり、前記バッファ層の不純物プロフィルが、前記ドリフト層側に向かって距離をXとし、不純物濃度を常用対数値(Log値)表示でN(X)としたとき、dN(X)/dXの絶対値がXを大きくすると増大する凸状の曲線を描き、該凸状の曲線を1個以上有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (2件)：

H01L29/78 655B , H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-036353 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060419 出願人：株式会社東芝
特開平1-082563

全件表示

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-036353 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060419 出願人：株式会社東芝
特開平1-082563

全件表示

前のページに戻る