特許
J-GLOBAL ID：200903037967608722
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-056964
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245165
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】素子の発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】活性層の両側にAla Inb Ga1-a-b N(0<a≦0.2,0<b≦0.2)により構成されたn側中間層12およびp側中間層14を備える。n側中間層12およびp側中間層14のAl組成とIn組成とを適切に調整することにより、活性層13の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。n側中間層12およびp側中間層14は、単一の組成からなる構造を有していても良いし、厚さ方向にAl組成およびIn組成を変化させた傾斜構造を有していても良い。また、Alw Inx Ga1-w-x N(0<w<1,0<x<1)からなる層と、Aly Inz Ga1-y-z N(0<y<w,x<z<1)からなる層とを交互に積層してなる多重構造を有していても良い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層と、
少なくともInおよびAlを含むと共に、前記活性層の両側にそれぞれ配置されたIII-V族化合物半導体層と
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01S5/343 610
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CB05
, 5F173AA01
, 5F173AF15
, 5F173AF30
, 5F173AF36
, 5F173AG17
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AR25
