特許
J-GLOBAL ID：200903012245474940

窒化物系半導体発光素子

発明者：
中島 博

中島 博 について

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船戸 健次

船戸 健次 について

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朝妻 庸紀

朝妻 庸紀 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246366
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087762
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】In組成が高く、しかも発光効率の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】本レーザ素子50は、GaN-ELO構造層54を介して、サファイア基板52上に、順次、積層された、n-GaNコンタクト層56、n-InGaN/GaN超格子層58、n-Al0.07Ga0.93Nクラッド層60、n-GaN光ガイド層62、InGaN/InGaN-MQW活性層64、p-GaN光ガイド層66、p-Al0.07Ga0.93Nクラッド層68、及びp-GaNコンタクト層70の積層構造を有する。超格子層は、n-In0.05Ga0.95N/n-GaNの超格子層を10周期成長させた積層超格子層であって、格子定数が超格子層下のn-GaNコンタクト層の格子定数より大きく、MQW活性層の格子定数より小さい。これにより、超格子層は、n-Al0.07Ga0.93Nクラッド層及びn-GaN光ガイド層の格子緩和層として機能し、活性層の歪発生を抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Inを有する発光層を含む窒化物系化合物半導体層の積層構造を基板上に備えた窒化物系半導体発光素子において、 積層構造が、 基板上に設けられた第1の窒化物系化合物半導体層と、 格子緩和層として第1の窒化物系化合物半導体層上に設けられ、格子緩和層のフリースタンディング状態での格子定数(dl-fs)が第1の窒化物系化合物半導体層のフリースタンディング状態での格子定数(d1fs )よりも大きな(dl-fs>d1fs )窒化物系化合物半導体層の少なくとも1層と、 発光層の下層でかつ格子緩和層上に設けられた第2の窒化物系化合物半導体層とを備え、第2の窒化物系化合物半導体層の格子定数が格子緩和層により緩和され、格子緩和層上に積層状態の第2の窒化物系化合物半導体層の基板水平方向の格子定数(d2 )が、格子緩和層下に積層状態の第1の窒化物系化合物半導体層の基板水平方向の格子定数(d1 )よりも大きく(d2 >d1 )なっていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01S5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (12件)：
5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073AA84 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB09 ,  5F073DA05 ,  5F073EA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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