特許
J-GLOBAL ID：200903038033722241

トレンチエッチング方法

発明者：
辰巳 哲也

辰巳 哲也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288256
出願日： 1995年04月13日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 微細なトレンチを所望の深さに形成するとともに、後工程での誘導体材料層等の埋め込み時における、ステップカバレッジを改善する。【構成】 レジストマスクの後退を利用し、多段階エッチングすることによりトレンチ肩部分をテーパ化する。等方性エッチングによるレジストマスク下部のサイドエッチングを利用する。【効果】 トレンチ肩部分のみをテーパ形状化し、肩部分以外はほぼ垂直形状のトレンチが形成される。このため、従来技術のように、全体がテーパ形状のトレンチと異なり、微細幅のトレンチであっても深さのの制限がなくなる。誘導体材料層等のボイドの発生もない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した、所定の開口幅を有するレジストマスクをマスクとして、前記半導体基板に所望の深さのトレンチを形成するトレンチエッチング方法であって、所望の深さ未満の深さを有するトレンチを、異方性エッチングにより形成する工程、前記レジストマスクの開口幅を拡げ、前記トレンチの上部肩部分を露出する工程、所望の深さに至るまでのトレンチを形成するとともに、露出した前記トレンチの上部肩部分を除去する工程、とをこの順に施すことを特徴とする、トレンチエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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