特許
J-GLOBAL ID：200903038041984190
太陽電池用の高効率Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-504005
公開番号（公開出願番号）：特表平10-513606
出願日： 1995年02月16日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】(In,Ga)x(Se,S)yの第1の層を蒸着すること、ついで充分なCu+(Se,S)またはCux(Se,S)を蒸着して所望するわずかにCu不足の材料層(18)を作製することからなるCu(In,Ga)(Se,S)2のわずかにCu不足の薄膜を製造する方法。変形では、すべてではないが(In,Ga)x(Se,S)y層(20)のほとんど(約90%〜99%)をまず蒸着し、ついでCu+(Se,S)またはCux(Se,S)層(22)のすべてを蒸着して、ほぼ化学量論的、可能であればまたはさらに好ましくはわずかにCu過多にし、つぎに、(In,Ga)x(Se,S)y層(24)の残り(約1%〜10%)を蒸着して、わずかにCu過多の組成で終了する。さらに別の変形では、(In,Ga)x(Se,S)yの少しの量(約1%〜10%)をシード層(26)としてまず蒸着し、ついでCu+(Se,S)またはCux(Se,S)の全部を蒸着して非常にCu過多の混合層(28)を作製し、つぎに(In,Ga)x(Se,S)y層(30)の残りの続く蒸着をして最終のCu(In,Ga)(Se,S)2膜をわずかにCu不足にする。
請求項（抜粋）：
基板上に(In,Ga)<SB>x</SB>(Se,S)<SB>y</SB>の層を蒸着させる工程、および (In,Ga)<SB>x</SB>(Se,S)<SB>y</SB>の層の上に充分な量のCu+(Se,S)またはCu<SB>x</SB>(Se,S)を蒸着してわずかにCu不足のCu(In,Ga)(Se,S)<SB>2</SB>薄膜を前記基板上に作製する工程からなる薄膜半導体素子の作製方法であって、前記わずかにCu不足の薄膜が約0.8<Cu/(In,Ga)<0.99の範囲のCuと(In,Ga)の比からなる方法。
引用特許：
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