特許
J-GLOBAL ID：200903038050038222
薄膜多層電極、高周波伝送線路、高周波共振器及び高周波フィルタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140059
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326609
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 従来例と同等の表皮効果の抑圧効果を得ることができ、しかも従来例に比較して、誘電体基板と薄膜導体膜との間及び薄膜誘電体膜と薄膜導体膜との間の密着強度を強くでき、信頼性の高い薄膜多層電極を提供する。【解決手段】 誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層されてなり、所定の周波数において、誘電体基板の電磁界の位相と各薄膜誘電体膜の電磁界の位相とが一致するように薄膜誘電体膜の膜厚及び誘電率、薄膜導体膜の膜厚が設定された薄膜多層電極であって、誘電体基板と薄膜導体膜との間、及び薄膜導体膜と薄膜誘電体膜との各間に、接着導体膜を形成し、かつ薄膜誘電体膜の各膜厚を、薄膜誘電体膜の誘電率と誘電体基板の誘電率と接着導体膜の膜厚とに基づいて、接着導体膜が形成されることによる、等価的な薄膜導体膜の表面リアクタンスの増加量を打ち消すように補正した。
請求項（抜粋）：
誘電体基板上に、薄膜導体膜と薄膜誘電体膜とが交互に積層されてなり、所定の使用周波数において、上記誘電体基板に生じる電磁界の位相と上記各薄膜誘電体膜に生じる電磁界の位相とが互いに実質的に一致するように構成された薄膜多層電極であって、上記誘電体基板と上記薄膜導体膜との間、及び上記薄膜導体膜と上記薄膜誘電体膜との各間にそれぞれ、上記薄膜導体膜に比較して金属酸化物を形成し易い接着導体膜を形成し、かつ上記薄膜誘電体膜の各膜厚を、上記薄膜誘電体膜及び誘電体基板の誘電率と上記接着導体膜の膜厚とに基づいて、上記接着導体膜が形成されることによる、上記薄膜導体膜の表面リアクタンスの増加量を打ち消すように補正したことを特徴とする薄膜多層電極。
IPC (3件)：
H01P 3/18
, H01P 3/08
, H01P 7/08
H01P 3/18
, H01P 3/08
, H01P 7/08
