半導体装置の製造方法および半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159089
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349114
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】製造工程での異物による汚染から保護され、ハンドリングが容易な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ1を樹脂で封止した半導体を製造する半導体装置の製造方法において、複数の半導体素子1’が形成された半導体ウェハ1を2枚のシート状の樹脂膜3の間に挟み込んで半導体ウェハ1に熱圧着することにより樹脂層3を形成する。この樹脂層3に電極2の位置に対応して樹脂層3を貫通する貫通孔3aを形成し、この貫通孔3a内に電極と導通する導電部7を形成した後に半導体ウェハ1を切断して複数の半導体装置26を得る。これにより製造工程の早期段階で半導体ウェハ1の電極形成面上に封止用の樹脂層3を形成し、半導体ウェハ1を製造工程での異物付着による汚染から保護するとともに、ハンドリングを容易にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子の少なくとも外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形成された半導体基板の電極形成面上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層に前記電極位置に対応して前記樹脂層を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、この貫通孔内に前記電極と導通する導電部を形成する導電部形成工程と、前記半導体基板を切断して複数の半導体装置を得る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 , H01L 21/56 , H01L 23/12

FI (6件)：

H01L 21/92 604 A , H01L 21/56 R , H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 E , H01L 23/12 F , H01L 23/12 L

Fターム (6件)：

5F061AA01 , 5F061BA07 , 5F061CA03 , 5F061CA22 , 5F061CA26 , 5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284067 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置実装体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-171750 出願人：株式会社リコー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-199059 出願人：株式会社東芝

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