特許
J-GLOBAL ID：200903038098440413
超純水製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
赤塚 賢次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254323
公開番号（公開出願番号）：特開平11-077091
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウエハー表面の自然酸化膜形成に結びつく超純水中に存在する原因因子を除去する超純水製造装置を提供すること。【解決手段】 一次純水を、少なくとも185nm付近の波長を照射可能な紫外線酸化装置26、合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置27、膜式脱気装置50、非再生型イオン交換装置28の順に通水して超純水を得るように設置した超純水製造装置とすることにより、過酸化水素濃度及び溶存酸素濃度の極めて少ない超純水を得ることができ、例えば、シリコンウエハー表面の自然酸化膜形成を抑制できる。
請求項（抜粋）：
一次純水を、少なくとも185nm付近の波長を照射可能な紫外線酸化装置、合成炭素系粒状吸着剤を充填した酸化性物質分解装置、膜式脱気装置、非再生型イオン交換装置の順に通水して超純水を得るように設置したことを特徴とする超純水製造装置。
IPC (8件)：
C02F 9/00 502
, C02F 9/00
, C02F 9/00 503
, C02F 9/00 504
, C02F 1/20
, C02F 1/28
, C02F 1/32
, C02F 1/42
C02F 9/00 502 H
, C02F 9/00 502 J
, C02F 9/00 502 N
, C02F 9/00 502 R
, C02F 9/00 502 Z
, C02F 9/00 503 B
, C02F 9/00 504 B
, C02F 1/20 A
, C02F 1/28 D
, C02F 1/32
, C02F 1/42 A
