特許

J-GLOBAL ID：200903038122578944

炭化珪素半導体のオーミック電極構造及び、炭化珪素半導体のオーミック電極製造方法

発明者： 桐谷 範彦 ,  谷本 智 ,  大串 秀世
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-318728
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086534
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】炭化珪素半導体にチタンとアルミの電極材料を蒸着して熱処理を行うと、電極の表面に凹凸を生じ易く、光学顕微鏡などで観察すると黒色化が観察出来る。この黒色化して見える電極の表面では、オーミック電極のコンタクト抵抗値のばらつきが大きい。【解決手段】p型炭化珪素半導体にオーミック電極を形成する電極構造において、炭化珪素半導体上に成膜され熱反応によって形成されたニッケルと炭素とシリコンとアルミを含む第1の反応層120に電極を接続することでオーミック電極のコンタクト抵抗値のばらつきを低減する。

請求項（抜粋）：

p型炭化珪素半導体基体に対するオーミック電極を形成する電極構造において、該p型炭化珪素半導体基体上に成膜され熱処理によって形成された、シリコンと金属間化合物を形成する磁性体と炭素とシリコンとアルミを含む第1の反応層を有し、該第1の反応層に電極を接続したことを特徴とする炭化珪素半導体のオーミック電極構造。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 B

Fターム (18件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104FF23 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-175050   出願人：株式会社デンソー
• 特開平1-268121
  
• p型SiC用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-270771   出願人：豊田合成株式会社