特許
J-GLOBAL ID：200903038123659182
ナノ構造の選択的形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282302
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119763
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】高効率かつ高い制御性を持ってナノ構造の選択的な配列を行うことのできる新しいナノ構造の選択的形成方法を提供する。【解決手段】III-V族/III-V族ヘテロ系におけるヘテロ構造上にナノ構造を形成するナノ構造の選択的成長方法であって、ヘテロ界面に形成されるミスフィット転位線の周期、ナノ構造のサイズ、および、ミスフィット転位線とナノ構造の間隔を制御することにより、ナノ構造の密度を決定する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
2種の半導体へテロ系のヘテロ構造上にナノ構造の液滴を成長させるナノ構造の選択的形成方法であって、ヘテロ界面に形成されるミスフィット転位を制御することにより、ナノ構造の密度を規定することを特徴とするナノ構造の選択的形成方法。
IPC (4件)：
H01L29/06
, B82B3/00
, H01L29/165
, H01L29/205
H01L29/06 601N
, B82B3/00
, H01L29/165
, H01L29/205
