液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124187
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315653
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】GaN、InNあるいはAlNやInGaN、AlGaNなどの窒化物半導体の量子ドットを形成する。【解決手段】サファイアの基板に金属原料としてガリウムを供給し、該サファイアの基板上に結晶成長によりガリウムの金属液滴を形成する第一の処理と、上記第一の処理により上記ガリウムの金属液滴を形成された上記サファイアの基板上に窒素ソースとしてアンモニアガスを供給し、上記ガリウムの金属液滴を窒化して窒化物半導体の量子ドットとして窒化ガリウムの量子ドットを形成する第二の処理と、上記第二の処理により形成された窒化ガリウムの量子ドットを、所定の温度で所定の時間だけ熱処理する第三の処理とを有する。

請求項（抜粋）：

液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法であって、金属原料の表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを持つ基板に該金属原料を供給し、該基板上に結晶成長により金属液滴を形成する第一の処理と、前記第一の処理により前記金属液滴を形成された前記基板上に窒素ソースを供給し、前記金属液滴を窒化して窒化物半導体の量子ドットを形成する第二の処理とを有する液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 , H01L 21/208 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/203 Z , H01L 21/208 Z , H01L 33/00 C , H01S 5/343

Fターム (32件)：

5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA63 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041CA73 , 5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053GG01 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053PP12 , 5F053PP14 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073DA02 , 5F073DA06 , 5F073DA07 , 5F073DA16 , 5F103AA04 , 5F103AA10 , 5F103DD28 , 5F103HH04 , 5F103LL20 , 5F103PP16

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体量子井戸箱の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-086050 出願人：光技術研究開発株式会社, 日本板硝子株式会社
特開平4-179220
特開平4-245620

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