特許
J-GLOBAL ID：200903038130368525

半導体装置の製造方法

発明者：
小野 泰弘

小野 泰弘 について

, 
渡嘉敷 健

渡嘉敷 健 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252211
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 高エッチングレートで、しかも、高異方性形状のエッチングを可能にした高誘電体膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる半導体装置の製造方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (23件)：
5F004AA02 ,  5F004AA03 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BA13 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA01 ,  5F004EA03 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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