不揮発性半導体メモリ素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105421
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293838
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 PZT等の強誘電体膜と層間絶縁膜との反応を防止するためにTiO2が必要となるが、プラグの平坦性を維持し、更にTiO2を均一に形成することが必要となる。TiO2膜は、下部電極加工時に除去されないようにする必要があり、TiN膜とTiO2膜の選択比を向上させることが不可欠となる。【解決手段】トランジスタ形成後、最上層が酸化チタン膜からなる層間絶縁膜を形成する。該層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールをコンタクトプラグで埋設した後、全面に窒化チタン膜及び白金膜を順次堆積する。次に、Cl2及びC2F6を含むエッチングガスを用いて、白金膜を所定の形状にパターニングし、Cl2及びO2を含むエッチングガス又はSF6及びO2を含むエッチングガスを用いて、窒化チタン膜を所定の形状にパターニングし、キャパシタの下部電極を形成する。

請求項（抜粋）：

一のトランジスタと一の強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いたキャパシタとをコンタクトプラグで電気的に接続した構造で、上記キャパシタの下部電極のパターニング後、全面に上記キャパシタ絶縁膜材料及び上記キャパシタの上部電極材料を堆積し、上記下部電極全面を覆うように上記キャパシタ絶縁膜及び上記キャパシタの上部電極を同一パターンに形成する工程を有する不揮発性半導体メモリ素子の製造方法において、上記トランジスタ形成後、最上層が酸化チタン膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールをコンタクトプラグで埋設した後、全面に窒化チタン膜及び白金膜を順次堆積する工程と、Cl2及びフッ素系ガスを含むエッチングガスを用いて、上記白金膜を所定の形状にパターニングし、Cl2及びO2を含むエッチングガス、若しくはSF6及びO2を含むエッチングガスを用いて、上記窒化チタン膜を所定の形状にパターニングし、上記キャパシタの下部電極を形成する工程とを有することを特徴とする、不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-356958
半導体メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232654 出願人：シャープ株式会社
半導体光集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-308772 出願人：古河電気工業株式会社

全件表示

前のページに戻る