特許
J-GLOBAL ID：200903038151271408
スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-175923
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 スピンバルブ型薄膜素子上にインダクティブヘッドが積層されている場合、インダクティブヘッドのコイル層の絶縁性を保つためのレジスト層を硬化させるために加熱する必要があるが、従来ではバイアス層がトラック幅方向に着磁されていたので、加熱により、交換異方性磁界が小さくなり、あるいは消滅すると、固定磁性層の磁化が、トラック幅方向のバイアス層の影響を受けて、ハイト方向に適切に固定されないという問題があった。【解決手段】 まず、バイアス層6をY方向に着磁する。この状態でレジスト硬化工程での加熱により、交換異方性磁界が小さくなり、あるいは消滅しても、固定磁性層3の磁化Eは、バイアス層6の影響を受けてY方向に向けられる。その後、前記バイアス層6をX方向に着磁する。この製造方法により、従来に比べて固定磁性層3の磁化をよりY方向に固定することができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子において、前記固定磁性層の中央領域における磁化は、ハイト方向に固定され、前記固定磁性層の両側領域における磁化は、ハイト方向に対して斜めに傾いた方向に固定されていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
引用特許：
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