特許
J-GLOBAL ID：200903038159029460

不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法

発明者：
前嶋 洋

前嶋 洋 について

, 
磯部 克明

磯部 克明 について

, 
向井 秀夫

向井 秀夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-032646
公開番号（公開出願番号）：特開2009-193629
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】データの書き込み時間を短縮することができる不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。【解決手段】第1及び第2の配線BL,WLにデータの書き込みに必要な電圧を印加する不揮発性半導体メモリのデータ書き込み方法であって、非選択の第1の配線BL1,BL2及 び選択された第2の配線WL0に基準電圧を与えると共に、選択された第1の配線BL0に基準電圧に対して可変抵抗素子のプログラムに必要なプログラム電圧VPGMを印加し、非選択の第2の配線にプログラム電圧VPGMに対して整流素子がオンしない制御電圧VPGMを印加することにより選択された第1及び第2の配線BL0,WL0に接続される可変抵抗素子のみをプログラムするセット動作に先立ち、非選択の第2の配線WL1,WL1を少なくともスタンバイ電圧VPGMまでプリチャージしておく。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
互いに交差する第1及び第2の配線と、これらの各交差部に配置された電気的書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子及び整流素子を直列接続したメモリセルとを備えた不揮発性半導体記憶装置の前記第1及び第2の配線にデータの書き込みに必要な電圧を印加する不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、 非選択の第1の配線及び選択された第2の配線に基準電圧を与えると共に、選択された第1の配線に前記基準電圧に対して前記可変抵抗素子のプログラムに必要なプログラム電圧を印加し、非選択の第2の配線に前記プログラム電圧に対して前記整流素子がオンしない制御電圧を印加することにより前記選択された第1及び第2の配線に接続される可変抵抗素子のみをプログラムするセット動作に先立ち、 前記非選択の第2の配線を前記基準電圧よりも大きなスタンバイ電圧までプリチャージしておく ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法。
IPC (5件)：
G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (6件)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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