特許
J-GLOBAL ID：200903038177317988

性能が改良された誘電体を形成する方法

発明者：
シン-ユアン・ツェン

シン-ユアン・ツェン について

, 
フィリップ・ジェイ・トビン

フィリップ・ジェイ・トビン について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116059
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、デバイスの電流ドライブを上昇させる誘電体を作るために、製造可能で制御可能な方法を明かにする。【解決手段】 窒素含有環境を用いて、基板10の表面を酸化して窒素含有誘電体12を形成する。ついで、フッ素含有種(F)が、前記窒素含有誘電体の上に載る形で、(注入によるのが望ましい)ゲート電極20内に導入される。フッ素はついで、下に位置する窒素含有誘電体内に導入される。フッ化窒素含有領域14’は、誘電体12’と基板10との間の接合面のところに形成されることが予想される。フッ素と窒素との間の相互作用は、誘電体にとって、ピーク相互コンダクタンスと、高い電界における相互コンダクタンスとを上昇させる。そのため、全体の電流ドライブはこの方式によって上昇される。
請求項（抜粋）：
誘電体を作る方法であって:表面部分を有する基板(10)を設ける段階;窒素含有酸化体を用いて前記基板の表面部分を酸化して、窒素含有誘電体(12)を形成する段階;前記窒素含有誘電体の上に載る形で、ゲート電極(18)を形成する段階;フッ素(F)を前記ゲート電極に注入してフッ化ゲート電極(20)を形成する段階;および前記フッ化ゲート電極をアニールして、前記フッ素を前記窒素含有誘電体に導入して、フッ化窒素含有誘電体(12’)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (9件)
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