特許
J-GLOBAL ID：200903038184936154
電気的に励起した多結晶ZnOレーザ及び加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大西 正悟
, 山口 修之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-544820
公開番号（公開出願番号）：特表2005-502997
出願日： 2001年11月23日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
本発明は、電気的に励起した多結晶ZnOレーザと、それを製造するための方法に関する。適当な多結晶支持体(42)上に、粒子が電気絶縁壁に囲まれたZnO層(44)を形成することを特徴とする。本発明はレーザ生成に適用できる。
請求項（抜粋）：
多結晶ZnOから形成した半導体レーザであって、
-支持体(40)上に、結晶格子定数がZnOのものに適応した多結晶薄膜から形成された下層(42)と、なお、この下層は、薄膜平面に直角な結晶軸を持つ粒子のモザイク状態から構成され、
-前記下層(42)上に、前記薄膜平面(44)に直角な結晶軸を持つ、ZnOの粒子(30)から構成した薄膜(44)と、なお、各粒子(30)は電気絶縁性物質の境界(32)によって囲まれ、
-前記薄膜平面(44)に直角に電流が流れるように適応した電気的励起方法(46、48、50)とからなることを特徴とする、半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F045AB14
, 5F045AB22
, 5F045AF04
, 5F045AF06
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DA61
, 5F173AH37
, 5F173AH40
, 5F173AH49
, 5F173AP22
