特許

J-GLOBAL ID：200903038201688887

レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 和田 一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144271
公開番号（公開出願番号）：特開平10-333341
出願日： 1997年06月02日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いた光リソグラフィー技術において、露光装置の解像限界以下のパターンを形成するレジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 光照射により酸を発生する酸発生剤と、酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する工程(ステップS11〜S12)と、フォトレジスト膜を所定のパターンに加工する工程(ステップS13〜S16)と、フォトレジスト膜を露光し、フォトレジスト膜内に酸を発生する工程(ステップS17)と、酸によって保護基を解離し、保護基が解離した単位構造と、所定の流体とを反応させることにより、パターニングしたフォトレジスト膜の寸法を変化させる工程(ステップS18)とによりレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

光照射により酸を発生する酸発生剤と、前記酸によって保護基が解離する単位構造とを有するフォトレジスト膜を露光し、前記フォトレジスト膜内に前記酸を発生する露光工程と、前記酸によって前記保護基を解離し、前記保護基が解離した前記単位構造と、前記保護基が解離した前記単位構造と反応する物質を含む流体とを反応させることにより、前記フォトレジスト膜の体積を増加させる反応工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 570

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-027013   出願人：富士通株式会社
• 光構造化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-353044   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト