特許

J-GLOBAL ID：200903065404865617

レジストパターンの形成方法

発明者： 中川 健二 ,  矢野 映 ,  及川 朗 ,  金澤 政男 ,  工藤 寛
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111241
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 現像後に修正を行なうレジストパターンの形成方法に関し、簡便な方法で微細なレジストパターンを形成することのできるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 化学反応により体積を増大させることのできる成分Aを含むレジストを被加工物表面に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記塗布されたレジスト膜を露光、現像して開口部を有するパターンを形成するパターニング工程と、前記パターン化されたレジスト膜に、前記成分Aと化学反応して体積を増大させることのできる成分Bを含む流体を接触させ、成分Aと成分Bを化学反応させる反応工程とを含み、前記レジスト膜の開口部の寸法を変化させる。

請求項（抜粋）：

化学反応により体積を増大させることのできる成分Aを含むレジストを被加工物表面に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記塗布されたレジスト膜を露光、現像して開口部を有するパターンを形成するパターニング工程と、前記パターン化されたレジスト膜に、前記成分Aと化学反応して体積を増大させることのできる成分Bを含む流体を接触させ、成分Aと成分Bを化学反応させる反応工程とを含み、前記レジスト膜の開口部の寸法を変化させるレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-331845   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-156244
  
• 特開昭51-150279
  
• パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037616   出願人：沖電気工業株式会社