半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326732
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218226
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】電源端子及び接地端子が開放された状態の半導体装置の耐サージ性能を向上させる。【解決手段】縦続接続された第1、第2及び第3のインバータ100,200,300を有する半導体装置に、外部から信号入力端子10に与えられた正のサージ電荷を電源線21へ導くための第1の入力保護回路50と、外部から信号入力端子10に与えられた負のサージ電荷を接地線31へ導くための第2の入力保護回路60とに加えて、第1の入力保護回路50により電源線21へ導かれて第2のインバータ200中のPチャネルMOSトランジスタ201から第3のインバータ300へ向けて流出したサージ電荷を接地線31へ導くための内部保護回路250を設ける。

請求項（抜粋）：

各々入力を反転させる機能を有し、かつ直接又は間接に縦続接続された第1、第2及び第3の論理回路と、外部から信号入力端子を介して与えられた信号を前記第1の論理回路へ供給するための信号入力手段と、外部から電源端子を介して与えられた正の電源電圧を前記第1、第2及び第3の論理回路へ供給することのできる電源線と、外部から接地端子を介して与えられた接地電圧を前記第1、第2及び第3の論理回路へ供給することのできる接地線と、前記第2の論理回路の出力部と前記第3の論理回路の入力部との間の接続部に介在して、前記電源線の正のサージ電荷に起因した前記接続部の電荷を前記接地線へ導く経路を有する内部保護回路とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 , H01L 21/8249 , H01L 27/04 , H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 27/04 H , H01L 27/04 R , H01L 27/06 321 H

Fターム (25件)：

5F038AR02 , 5F038AR13 , 5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH06 , 5F038BH07 , 5F038BH15 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AB06 , 5F048AC03 , 5F048BA07 , 5F048BE03 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BH05 , 5F048BH07 , 5F048CC01 , 5F048CC06 , 5F048CC09 , 5F048CC10 , 5F048CC15 , 5F048CC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-298737 出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (3件)

特開平3-060066
特開平2-007458
入力保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-040217 出願人：沖電気工業株式会社

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