特許
J-GLOBAL ID：200903038226819137

高純度Ir材料の製造方法及び薄膜形成用高純度Ir材料

発明者：
新藤 裕一朗

新藤 裕一朗 について

, 
鈴木 恒男

鈴木 恒男 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088241
公開番号（公開出願番号）：特開平11-264028
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【目的】 溶融状態におけるスプラッシュの回数が少なくターゲット材としての歩留まりが高く、かつ反強磁性薄膜形成用として最適な高純度Ir材料を得るための手段を提供すること。【構成】 Ir原料に、Irと合金をつくり酸に溶解する金属を添加しIr合金を製造した後、該Ir合金を酸により浸出することによりIr以外の成分を溶解除去し、得られたIr残渣を脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することを特徴とする高純度Ir材料の製造方法。白金族元素以外の不純物金属元素の含有量が合計で100ppm以下であり、酸素:50ppm以下、窒素:10ppm以下、S:10ppm以下、C:10ppm以下である薄膜形成用高純度Ir材料を得ることができる。
請求項（抜粋）：
Ir原料に、Irと合金をつくり酸に溶解する金属を添加しIr合金を製造した後、該Ir合金を酸により浸出することによりIr以外の成分を溶解除去し、得られたIr残渣を脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することを特徴とする高純度Ir材料の製造方法。
IPC (4件)：
C22B 11/00 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 5/04 ,  C23C 14/34
FI (4件)：
C22B 11/00 ,  C22C 1/02 503 A ,  C22C 5/04 ,  C23C 14/34 A
引用特許：
審査官引用 (5件)
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