特許
J-GLOBAL ID：200903038274590532
半導体研磨方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199523
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064562
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 研磨加工後の異物を低減し、かつ研磨液の品質維持を図る。【構成】 半導体ウエハ1上の微細な凹凸の段差を研磨する半導体研磨方法であって、研磨砥粒を含有させた研磨シート3を用い、遊離砥粒を含まない研磨液7を供給しながら研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上の微細な凹凸の段差を研磨する半導体研磨方法であって、研磨砥粒を含有させた研磨シートを用い、遊離砥粒を含まない研磨液を供給しながら研磨することを特徴とする半導体研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 1/00
, B24B 29/00
