特許
J-GLOBAL ID：200903038293732518

圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法

発明者：
田村 博明

田村 博明 について

, 
長谷川 和正

長谷川 和正 について

, 
▲濱▼田 泰彰

▲濱▼田 泰彰 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130958
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 ゾルゲル法に代表されるポストアニール方式をもちいて圧電・強誘電体薄膜を作製する場合、結晶配向性を制御することが困難であった。【解決手段】 原料溶液の乾燥工程において、基板加熱の最高温度をT°C、この温度での加熱時間をt分間とするとき、350≦T≦450t-5t(0<t)で表される条件で基板加熱をおこなう。
請求項（抜粋）：
溶媒の主成分として2-n-ブトキシエタノールをもちい、これに鉛とジルコニウムならびにチタンの各金属をカルボン酸塩あるいはアセチルアセトナートあるいはアルコキシドのいずれかの形態で溶解した溶液を原料溶液として、前記原料溶液を基板に成膜された電極上に塗布する工程と、前記基板を各温度で加熱することによって原料溶液を乾燥し、非晶質状前駆体膜を形成する工程とを順次繰り返して非晶質状前駆体膜を積層する工程と、この繰り返しの工程で積層された非晶質状前駆体膜を加熱焼成して結晶性薄膜を形成する工程よりなる圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法において、前記基板を加熱する工程における基板加熱の最高温度をT°C、この温度での加熱時間をt分間と表すとき、350≦T≦405-5t(0<t)であることを特徴とする圧電体薄膜あるいは強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/49 ,  B01J 19/00 ,  C03C 17/25 ,  H01L 41/24
FI (4件)：
C04B 35/49 Z ,  B01J 19/00 K ,  C03C 17/25 A ,  H01L 41/22 A
Fターム (27件)：
4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA03 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11 ,  4G059EA04 ,  4G059EA07 ,  4G059EB05 ,  4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075AA63 ,  4G075BA06 ,  4G075BB02 ,  4G075BD16 ,  4G075BD26 ,  4G075CA02 ,  4G075CA57 ,  4G075ED01 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4G075FC20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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