半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221407
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】混晶比が0.6未満のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Asから成るエッチング阻止層を利用した新規な半導体発光素子を提供する。斯かる本発明の半導体発光素子は、Alの含有率が低いAlGaAs系材料を使用しているため、半導体発光素子の寿命および性能の点で有利である。【構成】活性層上に設けられた上側クラッド層の一部をエッチング除去して形成されたリッジ又はグルーブを有する半導体発光素子において、第1導電型基板(1)上に、少なくとも、第1導電型下側クラッド層(3)、活性層(4)、第2導電型第1上側クラッド層(5)、Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Asから成る第2導電型エッチング阻止層(6)、Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>Asから成る第2導電型第2上側クラッド層(7)を順次に配置し、前記の混晶比x及びyが次の条件を満足する。【数1】x<0.6x-y≧0.1

請求項（抜粋）：

活性層上に設けられた上側クラッド層の一部をエッチング除去して形成されたリッジ又はグルーブを有する半導体発光素子において、第1導電型基板上に、少なくとも、第1導電型下側クラッド層、活性層、第2導電型第1上側クラッド層、Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>Asから成る第2導電型エッチング阻止層、Al<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>Asから成る第2導電型第2上側クラッド層を順次に配置し、前記の混晶比x及びyが次の条件を満足することを特徴とする半導体発光素子。【数1】x<0.6x-y≧0.1

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-277909 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002406 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-043790

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審査官引用 (2件)

半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-277909 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002406 出願人：三菱電機株式会社

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