特許

J-GLOBAL ID：200903038331030964

レジストパタン形成方法

発明者： 福本 佳子 ,  長谷川 昇雄 ,  浅井 尚子 ,  小野塚 利彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304993
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133571
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 レジストの薄膜化に伴い、反射防止膜の薄膜化が必須となっているが、吸光性能を維持して薄膜化することは難しい。【解決手段】 下置き反射防止膜の消衰係数kを上げ、薄膜化しても充分な反射防止性能を維持する。その際、上置き反射防止膜を併用し、レジスト膜内干渉を抑制する。【効果】 下置き反射防止膜の薄膜化が可能となり、パタンの微細化に寄与する。

請求項（抜粋）：

基体上に、露光光に対し光吸収性を持ち、膜厚が≦70nmである第1の反射防止膜を形成する工程、前記第1の反射防止膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜上に第2の反射防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に露光する工程、前記レジストを現像する工程を有することを特徴とするレジストパタン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501

FI (2件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 501

Fターム (8件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  5F046CA04 ,  5F046PA07 ,  5F046PA17 ,  5F046PA19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-008360   出願人：ソニー株式会社
• 反射防止コーティングおよびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-149136   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション