特許

J-GLOBAL ID：200903098514960009

反射防止コーティングおよびその形成方法

発明者： カテリーナ・イー・バービッチ ,  アレッサンドロ・チェーザレ・カッレガーリ ,  ジュリアン・フォンテーヌ ,  アルフレッド・グリル ,  クリストファー・ヤーネス ,  ヴィシュヌバハーイ・ヴィッタルバハーイ・パテル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149136
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008248
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 気相付着したBARCと、非晶質炭素皮膜を主成分とし、調整および除去可能な反射防止コーティング(BARC)、およびその製法を提供する。【解決手段】 本発明のBARC皮膜は、水素化、フッ素化、または窒素化炭素皮膜で形成される。この皮膜は、UVおよびDUVの波長、特に365、248、および193nmで、屈折率が約1.4から約2.1まで、吸光係数が約0.1から約0.6まで調整可能である。さらに、高度にコンフォーマルに装置のトポグラフィ上に付着させ、酸素および(または)フッ素イオン・エッチング法によりエッチングすることができる。この皮膜の特異な特性により、UVおよびDUVの波長で、レジストとBARCコーティングの境界面における反射率をほぼ0にすることができ、半導体チップの性能を大幅に改善する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個の主表面上に、少なくとも1個の精密に光学的調整可能な反射防止コーティング(BARC)を有する、少なくとも1個の基板を具備する構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アモルファスカーボンを用いた半導体装置製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049548   出願人：富士通株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-075948   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242888   出願人：富士通株式会社