特許
J-GLOBAL ID:200903038362246426

ガラスセラミック基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-278637
公開番号(公開出願番号):特開2006-093485
出願日: 2004年09月27日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】 ガラスセラミック基体の内部にフェライト層を形成し、このフェライト層にコイル用導体を埋設したガラスセラミック基板において、同時焼成過程でフェライト層がガラスセラミック絶縁層に拘束されてフェライト層の収縮を阻害し、フェライト層が粗密になってフェライト端面から吸水が発生していた。【解決手段】 ガラスセラミック基板は、ガラスおよびフィラーからなるガラスセラミック絶縁層6が複数層積層されて成る絶縁基体1の内層に、ガラスセラミック絶縁層6と同じ大きさのフェライト層2が形成されており、フェライト層2の内部にはコイル用導体3が埋設されてなるものであって、ガラスセラミック基板の側面のフェライト層2端部が露出している部位に、金属を主成分とする保護層7を形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ガラスおよびフィラーからなるガラスセラミック絶縁層が複数層積層されて成る絶縁基体の内層に、前記ガラスセラミック絶縁層と同じ大きさのフェライト層が形成されており、前記フェライト層の内部にはコイル用導体が埋設されてなるガラスセラミック基板であって、前記ガラスセラミック基板の側面の前記フェライト層端部が露出している部位に、金属を主成分とする保護層が形成されていることを特徴とするガラスセラミック基板。
IPC (8件):
H05K 3/46 ,  C04B 35/30 ,  H01F 17/00 ,  H01F 17/04 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/16 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13
FI (9件):
H05K3/46 Q ,  H05K3/46 H ,  C04B35/30 C ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 A ,  H05K1/02 P ,  H05K1/16 B ,  H01L23/12 B ,  H01L23/12 C
Fターム (60件):
4E351AA07 ,  4E351BB09 ,  4E351BB11 ,  4E351BB31 ,  4E351BB42 ,  4E351CC11 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD10 ,  4E351DD31 ,  4E351DD50 ,  4E351GG07 ,  4E351GG11 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AB02 ,  4G018AC02 ,  4G018AC07 ,  4G018AC16 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070AB04 ,  5E070BA12 ,  5E070CB04 ,  5E070CB08 ,  5E070CB11 ,  5E338AA03 ,  5E338AA18 ,  5E338BB75 ,  5E338CC05 ,  5E338CC07 ,  5E338CD03 ,  5E338EE13 ,  5E338EE30 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD34 ,  5E346EE23 ,  5E346EE24 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346HH04 ,  5E346HH13
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • LCフィルタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-200496   出願人:株式会社住友金属セラミックス
  • 低温焼成多層セラミック回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-200497   出願人:株式会社住友金属セラミックス
  • 多層基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-323636   出願人:株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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