特許

J-GLOBAL ID：200903038371941218

多層配線基板

発明者： 久米 健士
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-322029
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】配線導体を高密度に形成することができず、また部品の実装数が多く大型化する。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層2a、2b、2cと薄膜配線導体3a、3b、3cとを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体3a、3b、3cを有機樹脂絶縁層2a、2b、2cに設けたスルーホール導体9を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、前記少なくとも一つの有機樹脂絶縁層2bに穴部10を形成し、該穴部10内に有機誘電体層11を容量電極13、14で挟むことによって形成される容量素子Aを配設させるとともに、容量素子Aの容量電極13、14を有機樹脂絶縁層2bの上下に位置する薄膜配線導体3a、3bに電気的に接続させた。

請求項（抜粋）：

基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなる多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少なくとも一層に穴部を形成し、該穴部内に有機誘電体層を容量電極で挟むことによって形成される容量素子を配設させるとともに、容量素子の容量電極を有機樹脂絶縁層の上下に位置する薄膜配線導体に電気的に接続させたことを特徴とする多層配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (6件)：

H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291298   出願人：京セラ株式会社
• 薄膜複合集積回路部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191300   出願人：ティーディーケイ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-225594
  
• 特開平4-225594